// this is code of icon

Spansion: S404100xx — управляемая NAND FLASH-память Spansion 1B1 стандарта e.MMC

05.06.2019

Память поддерживает режим скорости передачи данных HS200 и имеет плотность хранения данных от 8 Гбайт до 16 Гбайт. Напряжение питания ядра (VCC) составляет 3.3 В, а линий ввода/выода (VCC) 1.8 В или 3.3 В. Устройства выпускаются в промышленно стандартных 153-выводных VFBGA (размером 11.5 x 13 мм, с шагом выводов 0.5 мм) и 100-выводных LBGA (размером 14 x 18 мм, с шагом выводов 1.0 мм) корпусах.

Управляемая NAND FLASH-память стандарта e.MMC компании Spansion ориентирована на применение во встраиваемых приложениях, требовательных к высокому качеству хранения и высокой плотности данных.

Стандартная NAND FLASH vs e.MMC NAND FLASH

Преимущества технологии e.MMC:

  • Встроенный контроллер памяти
  • Корпуса, соответствующие стандарту JEDEC
  • Интерфейс, соответствующий стандарту JEDEC
  • Более высокая эффективность операций записи/чтения
  • Возможность конфигурации в качестве устройств с одноуровневыми (SLC) или многоуровневыми (MLC) ячейками памяти

Отличительные особенности:

  • Полное соответствие спецификации e.MMC 4.51
    • Обратная совместимость с предыдущими версиями спецификации e.MMC
  • Объем памяти: 8 Гбайт или 16 Гбайт
  • Доступные корпуса:
    • 153-выводной VFBGA, размером 13 мм x 11.5 мм x 1.0 мм
    • 100-выводной LBGA, размером 18 мм x 14 мм x 1.4 мм
  • Диапазон рабочих температур:
    • От -25°C до +85°C (встраиваемое исполнение)
    • От -40°C до +85 °C (промышленное исполнение)
  • Температура хранения: от -40 °C до +85 °C
  • Напряжение питания:
    • Линий ввода/вывода VCCQ: от 1.7 В до 1.95 В или от 2.7 до 3.6 В
    • Ядра VCC: от 2.7 В до 3.6 В
  • Ширина шины данных:
    • В режиме одинарной скорости SDR: 1, 4 и 8 бит
    • В режиме удвоенной скорости DDR: 4 и 8 бит
    • В режиме HS200: 4 и 8 бит
  • Тактовая частота: 52 МГц, 200 МГц (e.MMC 4.51)
    • В режиме одинарной скорости: до 52 МГц
    • В режиме удвоенной скорости: до 52 МГц
    • В режиме HS200: до 200 МГц

Область применения:

  • Встраиваемые приложения высокой надёжности и плотности хранения данных на основе NAND FLASH-памяти
  • Промышленные контроллеры
  • Промышленные ПК
  • Сети телекоммуникаций
  • Потребительская электроника класса High End
  • Автомобильная электроника

Инструментальные средства:

  • Инструмент диагностики памяти (MDT)
    • Плата DEV с пользовательским приложением
    • Инструменты конфигурирования продукта
    • Инструменты инженерной диагностики
  • Функциональные возможности MDT
    • Информация об устройстве
    • Конфигурация секторов
    • Поддержка программаторов
    • Сообщения о состоянии памяти
    • Моделирование рабочих режимов
    • Обновление встроенного программного кода
  • Оценочные платы в виде карты e.MMC
    • Подключение к устройству чтения карт памяти с поддержкой стандарта e.MMC
    • Поставляются с сокетами под корпуса BGA-153 и BGA-100

По материалам компании EBV