// this is code of icon

Vishay: SiR610DP — силовой MOSFET-транзистор с рабочим напряжением сток-исток 200 В, выполненный по технологии ThunderFET®

29.03.2019

    Кроме того, показатель качества (FOM) транзисторов SiR610DP при использовании в схемах DC/DC преобразователей является лучшим в своем классе устройств. Низкое сопротивление открытого канала RDS(ON) приводит к уменьшению потерь проводимости и потребляемой мощности, что позволяет использовать транзисторы в экологичных энергосберегающих приложениях.

SiR610DP оптимизированы для применения в качестве силовых ключей в первичной цепи и в качестве синхронных выпрямителей во вторичной цепи источников питания с гальванической развязкой для телекоммуникационного и сетевого оборудования.
Сравнительные характеристики SiR610DP и устройств предыдущего поколения

Отличительные особенности:

    Максимальное рабочее напряжение сток-исток VDS: 200 В
    Максимальный постоянный ток стока ID: 35.4 А (TC = 70°C)
    Заряд затвора Qg: 20 нКл (тип.)
    Сопротивление открытого канала RDS(ON): 31.9 мОм (VGS = 10 В)
    Сопротивление открытого канала RDS(ON): 33.4 мОм (VGS = 7.5 В)
    Максимальная рабочая температура перехода TJ: +150°C
    8-выводной корпус PowerPAK® SO-8, размером 6 мм х 5 мм

Область применения:

    DC/DC преобразователи
    Силовые ключи первичных и вторичных каскадов
    Схемы синхронных выпрямителей
    Схемы управления светодиодами
    Импульсные источники питания
    Схемы аудио-усилителей класса D

По материалам компании EBV